مسابقه دین و اندیشه خانه قرآن باشگاه کاربران جامعه ورزشی خانواده خوشبخت دنیای کودکان آشپزی و تغذیه موبایل دانش و تکنولوژی مجله سلامت سیاست گردشگری
دنیای عکس و عکاسی اقتصاد زنان ادبیات هــنر سینما و تلویزیون بزرگان و مشاهیر مهدویت سرگرمی دانلود نرم افزار مرکز کتاب پایگاه ها جستجو روابط عمومی مقالات
   
صفحه اصلی وب سایت فید مطالب وب سایت عضویت رایگان در وب سایت جستجو در وب سایت سوالات رایج نقشه وب سایت درباره ما تماس با ما  
حتما ببنید
نانوتکنولوژی و صنعت نساجی
پرورش ماهی اسکار
همه چیز درباره کولر خودرو
پخش‌كننده موسیقی Cowon iAudio 7
دقت کردید ؟؟
/ItMatchOnline.html
http://news.tebyan-zn.ir/
/News-Article/Help/help_for_using_tebyan/2010/12/27/16865.html
/archive/photography/0/10/default.html
جدیدترین مطالب این بخش

مدارهای مجتمع با کاربرد خاص
مدارهای مجتمع با کاربرد خاص ( به انگلیسی : Application-specific integrated circuit ) (به اختصار ASI...

پروگرامر 89S5152
میکرو در این پروگرمر باید در حالت بایاس کامل باشد یعنی پین 31 باید به VCC ومدار RESET نیز به مدار ا...

ارسال مطالب به دوستان
send to freinds ارسال مطلب برای استفاده سایر دوستان

عنوان مطلب : مراحل ساخت مدارهای مجتمع - بخش اول
 
 برای ارسال این مطلب به دوستتان لطفا منو های زبر را بدقت تکمیل و دکمه ارسال را کلیک نمایید

 
 
 
 
  
دریافت رایگان (کلیک کنید)
ارسال دعوتنامه (کلیک کنید)
بازدید ها :   2403   بازدید   
تاریخ درج مطلب  24/6/1389
تغییر اندازه متن:  افزایش اندازه فونت متن    کاهش اندازه فونت متن
  چاپ این مطلب  

مراحل ساخت مدارهای مجتمع - بخش اول

قبل از آن كه به صورت جزئي و دقيق،‌ فرآيند ساخت مدارهاي مجتمع را بررسي كنيم، خوب است كه ساختمان ساده‌ي ترانزيستورهاي NMOS و PMOS را در نظر بگيريم و گام‌هاي لازم براي ساخت را پيش‌بيني كنيم. در شكل (1) نماي كناري و بالايي يك ترانزيستور NMOS و يك ترانزيستور PMOS نشان داده شده است.


شکل(1) نمای بالایی و کناری یک ترانزیستور NMOS و یک ترانزیستور PMOS

همان‌طور كه در شکل (1) مشخص است، هر دو ترانزيستور بر روي يك بدنه‌ي P- ساخته مي‌شوند. بر روي اين بدنه‌ي اصلي، چاه‌های n- ، نواحی سورس و درین ، عایق گیت ، پلی‌سیلیکون ، زیر بنا ، اتصالات فلزی ساخته مي‌شود. (علامت –  در P- و n- يعني غلظت ناخالصي درون سيليسيوم كم است. در واقع؛ همان‌طور كه در مقاله‌ي اول و دوم نانوالكترونيك گفتيم به منظور ساخت نيمه‌رساناي نوع n و P، مقداری ناخالصی به نيمه‌رساناي سيليسيوم اضافه مي‌كنيم.)

فناوری‌های پیشرفته‌ی ساخت CMOS دارای بیش از 200 مرحله است، اما براي منظور ما،‌ مي‌توانيم نگاهي به زنجيره‌ي تركيبي از عمليات زير بيندازيم:

1. پردازش ویفر براي توليد يك زيربنا از نوع مناسب. ويفر همان ماده‌ي آغازين فرآيند ساخت است. همان زيربنايي كه همه‌ي ترانزيستورها بر روي آن ساخته مي‌شوند. جنس ويفر از عنصر سيليسيوم به همراه مقداري ناخالصي است.
2. ليتوگرافي نوري براي تعريف دقيق هر ناحيه.
3. اكسيداسيون، لايه‌نشانی و كاشت يوني براي افزدون مواد لازم به ويفر.
4. زدايش جهت زدودن مواد زائد از ويفر.
بسياري از اين گام‌ها نياز به عمليات حرارتي دارند. يعني ويفر بايد يك چرخه‌ي حرارتي را در يك كوره بگذراند.

2-1- گام اول:‌ پردازش ويفر

در فناوري CMOS، ويفر اوليه بايد با كيفيت بسيار بالايي توليد شود. به این منظور، سيليسيوم يا همان سيليكون، به صورت جامد بلورين رشد داده می‌‌شود. بلور باید به گونه‌ای رشد يابد که دارای کمترین نقص بلوري باشد و نيز از درجه‌ي خلوص بسيار بالايي نیز برخوردار باشد. يعني اتم‌هاي ناخالصي در آن بسيار كم باشد. (براي آشنايي با مفهوم نقص بلوري،‌ مقاله‌اي با همين نام بر روي سايت وجود دارد كه مي‌توانيد به آن مراجعه كنيد.)

جامدات بلورین دسته‌ای از جامدات هستند که در آن‌ها اتم‌ها یا مولکول به صورت شبکه‌های منظم و تکراری در کنار یکدیگر قرار گرفته‌اند.


شکل 2. سمت راست: سیلیکون نوع p و سمت چپ: سیلیکون نوع n

پس از ساخت ویفر بايد به آن ناخالصي موردنظر با مقدار و نوع مناسب اضافه شود تا زيربناي P- با ويژگي‌هاي موردنظر توليد شود (شکل 2). براي ساخت ويفر با چنين وي‍ژگي‌هايي از روشي كه به روش چوکرالسکی موسوم است،‌ استفاده می‌شود. در اين روش، يك دانه‌ي بلور در سيليكون مذاب رو برده مي‌شود و سپس به تدريج در حالي كه مي‌چرخد بيرون كشيده مي‌شود. در نتيجه‌ی این عملیات، شمش بزرگ استوانه‌اي و بلوري از سيليكون درست مي‌شود كه مي‌توان آن را به قرص‌هاي نازك سيليكون برش داد. قطر ويفر سيليكون بين 10 تا 30 سانتي‌متر و طول آن 1 متر است و رنگ آن نيز خاكستري فولادي است.

پس از برش، ضخامت هر قرص سيليكون بين 400 ميكرومتر تا 600 ميكرومتر مي‌شود. سپس ويفرها ساييده و به صورت شيميايي پاك مي‌شوند تا بدين ترتيب خرابي‌هاي سطحي كه در هنگام برش به وجود آمده بر طرف شود. اكنون ويفر براي انجام مراحل بعدي آماده است.

منبع:نانو کلوب
گرد آوری: گروه تکنولوِِژی و الکترونیک سایت تبیان زنجان
http://www.tebyan-zn.ir/science_technology.html

 

آرشیو های مرتبط : مدارهای مجتمع , مراحل ساخت ,
  

12345
 
0 نفر به اين مطلب راي داده اند
میزان متوسط :0.0 از 5

اين مطلب تا چه ميزان مورد قبول شما واقع شد ؟
 نام و نام خانوادگی : 
آدرس Email :             
کد درون تصویر را وارد نمایید                       
 
 12345 
ضعيفعــالی
ضمن تشکر از توجه شما به این مطلب , نظرات سازنده شما در هر مطلب را صمیمانه ارج نهاده و آنرا به عنوان مرجعی قابل اعتماد جهت پیشرفت و ترقی اطلاع رسانی در فضای گفتمانی مناسب , می دانیم و اميد داريم بتوانيم از حسن نظر شما در راستاي افزايش سطح ارائه محتوا و خدمت رساني بهره گيريم.
نظر شما پس از بررسی توسط بخش محتوا, قابل روئیت برای عموم خواهدبود .
(توجه: تایید نظرات به معنی قبول و یا تایید محتوای آن  از سوی تبیان زنجان نمی باشد )

 
 

2798
© 2004-2009 Tebyan. The content is copyrighted to Tebyan Cultural and Information center and may not be reproduced on other websites.